PŘECHOD P - N
Dostanou-li se dva polovodičové materiály typu P a N do ideálně těsného styku, vytvoří přechod P-N. U polovodičů typu N je mnohem vyšší koncentrace elektronů než děr a rozhraním difundují elektrony do polovodiče typu P. Obráceně difundují díry a zanechávají za sebou záporné ionty akceptoru. Na rozhraní tak vzniká elektrická dvojvrstva (potenciálová bariéra).



© Copyright Simopt, s.r.o. 1999